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Liown(里阳半导体)——高品质国产功率半导体IDM厂商
里阳半导体(Liown Semiconductor)是集功率半导体器件设计研发、 芯片制造、封装测试及产品销售为一体的高新技术企业，公司在浙江台州设立制造中心，在美国加州、韩国首尔、中国深圳设有研发及销售中 心。2018年8月在浙江台州自建晶圆生产基地，主要技术和管理团队均拥有20年以上行业经验。Liown Semiconductor(里阳半导体)品牌官网：http://www.liownsemi.com/主要产品：一、瞬态电压抑制二极管TVs 瞬态抑制二极管也称硅雪崩二极管，拥有比普通极管更大PN结面积和更大的通流能力，广泛应用于电子元件瞬变电压防护。 ①截止电压:3.3V~600V ②峰值功率:200~30KW ③电流: 最大达30KA(8/20uS) ④高结温:最高可达175C ⑤领先的漏电流控制和叠片工艺二、可控硅Thyristors 可控硅是常开式固态开关(高阻抗)，能够承受额定闭塞/断态电压直至受触发而切换为导通状态，可作为开关或功率调节应用。 ①低漏电流:独特的保护层设计，IDRM<1uA@VDRM ②高结温:超高静动态能力，150°C高结温环境 ③抗千扰能力强:无缓冲设计,dv/dt > 1000V三、高压整流二极管 HVRD 高压整流二极管是一种将交流电能转换为直流电能的单极性半导体器件。相较普通整流管，具有高整流电流、高反向电压、低正向导通压降等特点。 ①反向电压:1800V ②整流电流: 200A ③导通压降:1.0V ④高结温: 150C/175C四、静电抑制二极管ESD 瞬态抑制二极管阵列设计用于保护数字和模拟信号线免受静电放电(ESD)，电快速瞬变(EFT)，以及雷击起的浪涌电流的破坏。 ①结电容:最小可达0.3pF ②尺寸:最小可达0.6*0.3mm ③ 封装:多样化，集成度高 ④功率:70~1800W(8/20uS)五、半导体放电管 TSS 半导体放电管是基于可控硅工艺的半导体开关管，相对TVS管有更高的浪涌防护和更低的残压，用于各种通讯端口。 ①截止电压:6V~600V ②浪涌等级: 2/4/6 KV ③ 结电容值:15pF~150pF ④封装: SMA、SMB，SOP8六、陶瓷气体放电管 GDT 陶瓷气体放电管属于开关型过压保护器，工作原理基于惰性气体间隙放电 能够承受极高的暖态浪涌。电压:75V~6KV ①浪涌能力: 100KA(8/20us) ②尺寸: 2极&3极，多尺寸 ③ 封装:轴心引线式&贴片式 ④ 电容值:0.5~25 pF七、氧化锌压敏电阻 MOV 金属氧化物压敏电阻设计用于抑制瞬变电压，如雷电威胁、AC线应用中，其特点为高电压、高通流、低成本。 ① 电压:18V~1800V ② 电流: 70kA(8/20ps)容值: 100-1000pF ③MOV: 5mm -53mm ④TMOV:14mm，20mm，25mm八、玻璃气体放电管 SPG 玻璃气体放电管兼具陶瓷气体放电管和半导体放电管的优点，具有浪涌能力高、体积小、反应速度快的特点。 ①电压范围:140~4000V ②浪涌电流: 3KA(8/20uS) ③尺小:1.4mm~中4.1mm ④可靠性高:耐高温、耐潮湿九、自恢复保险丝 PPTC 自恢复保险丝是一种高分子聚合物正系数温度元件，用于应对电路过电流威胁，动作恢复后能反复使用。 ①维持电流:30mA~14A ②尺寸封装:0603，0805，1206，1210、1812、2016，2920，LY16，LY30，LY60，LY130，LY250，LY600主要应用：通信、安防、家里、电源及新能源、工业及仪表仪器、汽车电子、其它 选型指南：Liown(里阳半导体)选型手册_20230718.pdf
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MXW(铭芯微)——高品质集成浪涌保护RS485通信接口芯片供应商
MXMicro(铭芯微)无锡铭芯微电子有限公司提供的RS-485系列接口芯片，一个独特的优势是集成了匹配精准的浪涌保护低电容TVS和限流电阻。它们能够帮助客户在大幅度增强系统保护，抑制雷电或耦合噪声瞬变和提高可靠性的同时，节约空间并省去RS-485应用中用于浪涌保护的外部元器件，为客户大幅降低成本，简化设计。MXW(铭芯微)品牌官网：http://www.mingxincorp.com/主要产品：MX48xEMX308xEMX307xEMX147xE超高速系列主要应用：物联网、电表、安防监控、工业控制、电平转换、UPS选型指南：RS485应用设计摘要.pdf